三星宣布開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存

　　三星宣布開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存。日前，三星電子正式宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片，其關(guān)鍵特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。

　　與前一代產(chǎn)品達(dá)到1.4Gbps的峰值相比，后者使存儲(chǔ)和RAM之間的傳輸速度提高了40％。但隨著更好的性能，電壓從1.8V降至1.2V。

　　新的V-NAND還具有最快的數(shù)據(jù)寫入速度，延遲僅為500微秒，這是在寫上一代的速度提高了30%，而響應(yīng)時(shí)間讀信號(hào)已顯著降低到50μS（微秒）。

　　第五代V-NAND芯片的構(gòu)建與之前的相似，它配備了90層的3D TLC CTF閃存存儲(chǔ)單元。它們堆疊成金字塔狀結(jié)構(gòu)，中間有微小孔。這些孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個(gè)CTF單元，每個(gè)單元存儲(chǔ)多達(dá)3比特?cái)?shù)據(jù)，單Die容量達(dá)256Gb(32GB)。

　　三星將迅速擴(kuò)大其第五代V-NAND生產(chǎn)以滿足市場(chǎng)的廣泛需求，將應(yīng)用在如超級(jí)計(jì)算機(jī)、企業(yè)服務(wù)器和最新的移動(dòng)應(yīng)用等高級(jí)智能手機(jī)方面。

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